《快訊》台積電技術突破一奈米里程碑
台積電（TSMC），台灣大學（NTU）和麻省理工學院（MIT）共同宣布，在開發1奈米（nm）半導體技術取得了重大突破。
這份報告發表於國際「自然」（Nature)雜誌上。研究結果發現，使用半金屬鉍（Bi）作為二維（2D）材料的接觸電極，可以大大降低電阻並增加電流。這種的材料模式可以提高半導體尺寸的物理極限，大幅度增加能量效率。
根據報告，此一突破首先由麻省理工學院MIT團隊做出，然後台積電優化了“簡易沉積工藝”。 台灣大學NTU電機工程和光電成功地以氦離子束光刻系統，減少了組件通道。
https://www.verdict.co.uk/tsmc-trumps-ibms-2nm-chip-tech-hyperbole-with-1nm-claim/
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